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热烈祝贺薛其坤博士当选为中国科学院院士
[日期:2006年1月13日   出处:管理员    作者:管理员   阅读:8130 次]

薛其坤

    薛其坤 男,1963年12月出生,山东蒙阴人。中科院表面物理国家重点实验室主任,国家纳米科学中心首席科学家,清华大学物理系教授,教育部“长江奖励计划”特聘教授。1984年毕业于山东大学光学系,1990年在中国科学院物理研究所获硕士学位,1994年获博士学位。1992到1999年间在日本和美国长期学习、工作。主要学术兼职有中国物理学会表面与界面物理专业委员会副主任委员,国家自然科学基金委员会第九届信息学部专家评审组成员,国际杂志《Surface Science》和《Nanotechnology》的编委。

主要研究方向为表面物理、低维纳米结构和薄膜的控制生长与量子效应、极低温强磁场和自旋极化扫描隧道显微学。长期从事超薄膜材料和纳米结构的制备、表征及其物理性能研究。开展了GaAs半导体薄膜、InAs/GaAs量子阱(点)、宽禁带半导体GaN薄膜生长动力学研究,发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律;开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究,定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系,发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象;开展了有序纳米结构的自组织生长研究,发明了若干原子尺度精确控制生长技术,解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。发表学术论文110余篇,被引用1300多次。在物理学和相关领域较有影响的国际会议如美国物理学会年会、美国材料学会年会、美国真空学会年会、扫描隧道显微学大会、分子束外延大会等做过30余个邀请报告。

曾获国家自然科学二等奖、北京市科学技术一等奖和中国青年科技奖等奖项。

表面物理实验室主任,研究员,博士生导师
电话:010-82649561 (O) 010-82649446 (L)
传真:010-82649228 (O)
1963年12月19日 生于山东蒙阴

学历:

1980年9月-1984年7月 山东大学光学系激光专业(理学学士学位)
1987年9月-1990年7月
中国科学院物理研究所凝聚态物理专业(理学硕士学位)
1990年9月-1992年6月 中国科学院物理研究所凝聚态物理专业
1992年6月-1994年6月 日本东北大学金属材料研究所博士生(中日联合培养)
1994年8月 中国科学院物理研究所获理学博士学位

工作经历:

1984年9月-1987年7月 曲阜师范大学物理系工作
1994年9月-2001年3月 日本东北大学金属材料研究所工作(日本文部省教官、助手)
1996年6月-1997年5月 North Carolina State University物理系(访问助理教授)
1998年8月-现在 中国科学院物理所研究员、博士生导师
1999年3月-现在 中国科学院物理所/凝聚态物理中心SF4研究组组长
1999年9月-现在 中国科学院表面物理国家重点实验室主任
2000年2月-2000年3月 瑞士IBM苏黎士实验室访问科学家(Senior Visiting Research Scientist)?/font>
2001年12月-2002年1月 香港大学物理系访问教授(Visiting Professor)
2004年6月-现在: 国家纳米科学中心首席科学家


获奖情况和其他个人荣誉:


Invited talk at 1996 American Physical Society March Meeting (St. Louis)
Invited talk at The 10th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy (Seoul, 1999)
Invited talk at The 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (Beijing, 2000)
1994年:中国科学院院长奖学金特别奖
1996年:日本文部省青年科学家海外奖学金
1997年:国家杰出青年基金(信息学部)
1998年:中国科学院"百人计划"
1999年:中国科学院"十大杰出青年"
2000年:中国科学院"盈科青年学者"奖
2002年:中国科学院"重大创新贡献团队"奖
2003年:北京市科学技术奖一等奖(第二获奖人)
2004年:中国青年科技奖

学术组织

1999 中国物理学会表面与界面物理专业委员会副主任委员
2001 中国科学院研究生院学报编委
  中国科学院物理所纳米物理和器件实验室学术委员会副主任
  国家图书馆专家咨询委员会委员
  大连理工大学三束改性国家重点实验室学术委员
2002 厦门大学纳米科学中心学术委员会委员
  北京航空航天大学兼职教授
  中国真空学会纳米与表面专业委员会副主任
  北京大学电子显微镜实验室学术委员会委员
  江苏省高技术研究重点实验室第一届学术委员会副主任委员
  中山大学显示材料与技术广东省重点实验室学术委员会委员
  山东师范大学名誉教授
  国家自然科学基金委员会第九届信息学部专家评审组成员
2003 北京工业大学兼职教授
  《物理》编委
2004 山东大学兼职教授
  北京大学兼职教授
   


研究工作简介:
 

研究工作主要涉及利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、光学探针以及各种表面分析手段研究各种金属、

半导体表面晶体结构/化学性质、异/同质结薄膜外延和低维纳米结构的生长动力学和控制。在微电子工业上具有广泛用途的化合物半导体GaAs和GaN生长表面的两维晶体结构、

光学性质以及相关异质结外延中应力释放问题、InAs/GaAs量子点的形成机理和稳定性、纳米团簇的生长、C60/C84/C70在半导体上的薄膜生长等研究中做过比较系统的工作。

最近和以后的主要研究兴趣包括稀磁半导体的分子束外延生长和自旋注入、低维纳米结构的磁性和在自旋电子学中的应用、量子效应对低维纳米结构电子性质的影响(比如催化)等。
发表SCI论文90余篇(包括11篇Phys. Rev. Lett.、16篇Phys. Rev. A/B、10篇Appl. Phys. Lett.和4篇英文特邀综述文章或书章节),文章被引用1000多次(两篇代表性文章PRL94和PRL95分别被引用215次和126次)。

代表性论文

1. C.-S. Jiang et al., "Building Pb nano-mesas with atomic layer precision", Phys. Rev. Lett. 92, 106104 (2004).
2. A. Muller, Q. Q. Wang, P. Bianucci, C. K. Shih, and Q. K. Xue, "Determination of anisotropic dipole moments in self-assembled quantum dots using Rabi oscillation", Appl. Phys. Lett. 84, 981 (2004).
3. Ping Zhang, Qi-Kun Xue, Xian-Geng Zhao, and X. C. Xie, "Generation of spatially separated spin entanglement in a triple-quantum-dot system", Phys. Rev. A 69, 042307 (2004).
4. S. B. Zhang, Lixin Zhang, Lifang Xu, E. G. Wang, Xi Liu, Ji-Feng Jia, and Qi-Kun Xue, "Spin driving reconstruction on the GaAs(001):Mn surface", Phys. Rev. B 69, 121308(R) (2004).
5. P. Zhang, Q. K. Xue, and X. C. Xie, "Spin current through a quantum dot in the presence of an oscillating magnetic field", Phys. Rev. Lett. 91, 196602 (2003).
6. K. Wu et al., "Na adsorption on the Si(111)-7x7 surface: From two-dimensional gas to nanocluster array", Phys. Rev. Lett. 91, 126101 (2003).
7. K. Wu et al., "2D growth of Ag on GaN(0001) surface", Appl. Phys. Lett. 82, 1389 (2003).
8. Ping Zhang et al., "Quantum entanglement of excitons in coupled quantum dots", Phys. Rev. A 67, 012312 (2003).
9. Ping Zhang, Qi-Kun, Xue, Yu-Peng, Wang, and X.C. Xie, "Spin-dependent transport through an interacting quantum dot", Phys. Rev. Lett. 89, 286803 (2002).
10. Jin-Feng Jia et al., "Fabrication and structure of Al, Ga and In nanocluster two-dimensional crystals", Phys. Rev. B 66, 165412 (2002).
11. Ping Zhang et al., "Dynamics of the spin-2 Bose condensate driven by external magnetic fields", Phys. Rev. A 66, 043606 (2002).
12. Hai-Lin Sun et al., "STM study of polymerized carbon nanobells: Electronic effect and evidence of nitrogen incorporation", Phys. Rev. B 66, 085423 (2002).
13. Ping Zhang et al., "Coulomb-enhanced dynamic localization and Bell state generation in a coupled quantum dot", Phys. Rev. A 66, 022117 (2002).
14. H. Chen et al., "Crosshatching on a SiGe film grown on a Si(001) substrate studied by Raman mapping and atomic force microscopy", Phys. Rev. B 65, 233303 (2002).
15. Jun-Zhong Wang et al., "A close view of ordered Ga wires formed on Si(100) 2 x n", Phys. Rev. B65, 235303 (2002).
16. Jin-Feng Jia et al., "Artificial nanocluster crystal: lattice of identical Al clusters", Appl. Phys. Lett. 80, 3186 (2002).
17. H. Q. Jia et al., "Improvement of thermal stability of wet oxidized AlAs", Appl. Phys. Lett. 80, 974 (2002).
18. Jun-Zhong Wang et al., "Spontaneous vacancy array formation on FeSi2 and CoSi2 formed on Si(100) 2xn surface", Appl. Phys. Lett. 80, 1990 (2002).
19. Jian-Long Li et al., "Spontaneous assembly of perfectly ordered identical-size nanocluster arrays", Phys. Rev. Lett. 88, 066101 (2002).
20. Jian-Long Li et al., "Spontaneous formation of ordered indium quantum wire array on Si(001)", Appl. Phys. Lett. 79, 2826-2828 (2001).
21. Q. K. Xue, T. Hashizume, and T. Sakurai, "Scanning tunneling microscopy of III-V compound semiconductor (001) surface", in Advances in Scanning Tunneling Microscopy, Springer Press, Chapter 8, p194-282 (2000) (Book Chapter).
22. X. G. Qiu et al., "Influence of threading dislocations on the near-band edge photoluminescence of wurtzite GaN thin films on SiC substrate", Appl. Phys. Lett. 77, 1316-1318 (2000).
23. Q. Z. Xue et al., "Reply to comments on As-induced 2x2 GaN(0001) reconstruction", Phys. Rev. Lett. 84, 4015-4018 (2000).
24. Y. Hasegawa et al., "Erasable nanometer-scale modification at the Au/Si interface by ballistic electron emission microscopy", Appl. Phys. Lett. 75, 3668-3670 (1999).
25. Q. Z. Xue et al., "Atomistic investigation of various GaN(0001) phases on the 6H-SiC(0001) surface", Phys. Rev. B 59, 12604-12611 (1999).
26. Q. Z. Xue et al., "Two-step preparation of 6H-SiC(0001) surface for epitaxial growth on GaN thin film", Appl. Phys. Lett. 74, 2468-2470 (1999).
27. Q. K. Xue et al., "Structures of GaN(0001) 2x2, 4x4 and 5x5 surface reconstructions", Phys. Rev. Lett. 82, 3074-3077 (1999).
28. Y. Hasegawa et al., "Structures of facetted planes of 3D InAs quantum dots on GaAs(001) studied by scanning tunneling microscopy", Appl. Phys. Lett. 72, 2265-2267 (1998).
29. Q. K. Xue and T. Sakurai, "6x2 surface reconstruction for the two-dimensional heteroepitaxial growth of InAs on GaAs", Phys. Rev. B 57, R6862-R6865 (1998).
30. Q. K. Xue, T. Hashizume, and T. Sakurai, "Scanning tunneling ticroscopy of III-V compound semiconductor (001) surface", Progress in Surface Science 56, P1-P132 (1997) (review paper).
31. T. Sakurai, X.D. Wang, Q.K. Xue, et al., "Scanning tunneling microscopy study of fullerenes", Progress in Surface Science 51, P263-P408 (1996) (review paper).
32. Q. K. Xue et al., "C60 adsorption and film growth on GaAs(001)2x6 surfaces by molecular beam epitaxy", Phys. Rev. B 53, 1985-1989 (1996).
33. Q. K. Xue et al., "Structures of GaAs(001) Ga-rich 4x2 and 4x6 reconstructions", Phys. Rev. Lett. 74, 3177-3180 (1995).
34. T. Hashizume, Q. K. Xue, A. Ichimiya, and Toshio Sakurai, "Determination of the surface structures of the GaAs(001)-2x4 As-rich phase", Phys. Rev. B 51, 4200-4212 (1995).
35. T. Hashizume, Q. K. Xue, J. M. Zhou, A. Ichimiya, and T Sakurai, "Structures of the As-rich GaAs(001)-(2x4) reconstructions", Phys. Rev. Lett. 73, 2208-2211 (1994).
36. J. M. Zhou, Q. K. Xue, Tomihiro Hashizume, and Toshio Sakurai, "Surface ordering of the GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy", Appl. Phys. Lett. 64, 583-585 (1994).
37. X.-D. Wang, Q. K. Xue et al., "Scanning tunneling microscopy studies of the interaction of C70 with the Si(100)2x1 surface", Phys. Rev. B 49, 7754-7758 (1994).
38. X.-D. Wang, Q.K. Xue et al., "Scanning tunneling microscopy study of the solid-phase Sc2C84 metallofullerene", Phys. Rev. B 48, 15492-15495 (1993).

Invited Talks (selected):
1. (大会报告)“半导体衬底上全同金属量子点阵列的生长及研究”,第十三届全国半导体物理年会,苏州, 2001年10月26-29日

2. “Growth of ordered arrays of identical metal nanoclusters with tunable sizes and compositions on Si(111)”,The 1st Asia Symposium on Nanoscience and Nanotechnology, Tokyo, Japan, Oct. 9-11, 2001.

3. “Perfectly ordered nano-dot arrays on Si(111)”, The 1st International Workshop on Nanoscience and Nanotechnology”, Sendai, Japan, June 15-16, 2001.

4. “Periodic nanostructure arrays on Si(111) and Si(100) studied by scanning tunneling microscopy and first-principles theoretical calculation”, The 3rd International Conference on Scanning Tunneling Microscopy, Sensors and Nanostructures, Chiba, Japan, May 27-31, 2001.

5. “Spontaneous Formation of Identical Nanodots and nanowires on Si”, The 1st International Workshop on Surface Science and Nanomagnetism, Shanghai, China, May 27-28, 2001.

6. “Atomistic Study of GaN Thin Film Growth on 6H-SiC Substrate”, The 3rd Asia Symposium on Scanning Tunneling Microscopy”, Shizuoka, Dec. 11-13, 2000.

7. “Exploring GaN surface reconstructions”, Invited Talk at The 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Beijing, Sept. 11-15, 2000.

8. “GaN Epitaxial Growth by Scanning Tunneling Microscopy and First-principle theory”, Invited Talk at 1st Asia Crystal Material and Technology, Sendai, Japan, Aug. 28-Sept.1, 2000.

9. “STM study of Wurtzite GaN Surface Reconstructions”, Invited Talk at The Annual Meeting of Japanese Materials Research Society, Tokyo, Japan, Dec. 17, 1999.

10. “MBE-STM study of GaN heteroepitaxy on 6H-SiC”, Invited Talk at The 9th China National Conference on Surfaces and Interfaces, Hongzhou, China, Oct. 31-Nov.2, 1999.

11. “Exploring Wurtzite GaN Surface Reconstructions”, Invited Talk at The 10th International Conference on Scanning Tunneling Microscopt/Spectroscopy”, Seoul, Korea, July 19-23, 1999.

12. “Molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy of GaN surface reconstructions”, Invited Talks at 5th International Conference on Advanced Materials (IUMRS), Beijing, China, June 13-18, 1999.

13. “MBE-STM study of GaN heteroepitaxy on 6H-SiC”, Invited Talk at The 3rd International Workshop on MBE, Warsaw, Poland, May 23-28, 1999.

14. “MBE-STM Study of InAs/GaAs Heteroepitaxy”, Invited Talk at The 1st International Conference on Life Science and Materials, Harima, Japan, Oct. 26-29, 1997.

15. Scanning tunneling microscopy of molecular beam epitaxy GaAs”, Invited Talks at American Physical Society March Meeting, St. Louis, USA, March 14-19, 1996.



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